蝕刻工藝是微納制造的核心技術之一，通過選擇性移除材料實現精密圖形化。其本質是化學反應與物理作用的結合，廣泛應用于半導體、顯示面板及精密器件領域。
化學蝕刻與物理蝕刻的差異
濕法蝕刻：依賴化學溶液（如HF酸刻蝕二氧化硅，HNO?/HCl刻蝕金屬），通過各向同性刻蝕實現快速加工，但精度受擴散限制。
干法蝕刻：以等離子體（如RIE、ICP）中的高能離子轟擊材料表面，實現各向異性刻蝕，精度可達納米級，適用于復雜三維結構。
關鍵參數的控制邏輯
蝕刻速率、選擇比（目標材料與掩膜/下層材料的蝕刻速率比）和均勻性是核心指標。例如，在硅刻蝕中，Cl?氣體濃度升高會提升速率，但過量會導致側壁粗糙度增加。通過調節射頻功率和氣壓，可優化離子能量與方向性。
失效模式與解決方案
過刻蝕：因時間控制偏差導致下層材料損傷，需通過終點檢測系統（如激光干涉儀）實時監控。
殘留物：蝕刻副產物堆積可能堵塞結構，采用原位清洗（如O?等離子體氧化分解有機物）可減少停機時間。
